该文报道了通过适当氢稀释(RH = 15) 和合适的衬底温度( Ts = 170°C) 下, 用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅( naOSi∶H)薄膜, 并将其用作p in太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p / i, i/n界面插入渐变带隙缓冲层, 制备出了glass/ ITO /pOaOSiC ∶H / iOnaOSi∶H /nOncOSi∶H /Al结构的p
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未设置昵称 2020-10-20 09:53:32EVA 老化机理以及对太阳电池的影响
17 2019-11-28 11:05:25高效叠焊组件的技术发展与市场前景
17 2019-11-28 10:51:31铸锭单晶——光伏竞价时代的选择
17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
我国光伏产业的产能和成本从2008年起就已经领先世界。但是，绝大多数工艺，尤其是主流的太阳电池工艺，都是从国外泊来，鲜有自己创新的。鉴于光伏产业作为一个新兴产业，技术更新很快，如果不能在核心的工艺技术上领先于世界。
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17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
多晶硅片表面进行织构化能有效的减少光在太阳电池表面反射造成的损失。多晶硅片表面经过一定比例的HF/HNO3混合液处理后，其表面呈现出凹凸不平的虫孔状表面形态，使太阳光在多晶硅表面形成多次的反射，可以有效的降低多晶硅电池表面的反射率，增强光的吸收，提高多晶硅太阳能电池光电转化效率。
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17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
本文用拟合的方法求得了太阳电池的结特性参数 . 结果表明 MOCVD 太阳电池的效率随电池外延 n 型层厚度的增大而增大 . 暗电流随电池外延 n 型层厚度的增大而减小 . MOCVD电池承受反向电流的冲击...
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17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
本项目拟利用纳米硅薄膜带隙可调特性，通过控制纳米硅薄膜的制备工艺条件，采用变带隙和三叠层结构方案，在玻璃或不锈钢柔性衬底上制备高效廉价、性能稳定的薄膜太阳电池。
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AFORS-HET软件模拟N型非晶硅／p型晶体硅异质结太阳电池
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太阳能光伏发电系统用蓄电池主要是用来贮能，将太阳电池提供的电能转化为化学能贮存在蓄电池中。
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17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
：本文对VHF．PEcVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究。电学测试结果给出制备薄膜的激活能为0．51eV，符合电池对材料的电学参数要求；拉曼散射谱测试结果计算得到样品的晶化率为63％；x射线衍射结果也证明材料晶化，同时(220)方向择优；首次在国内用VHF—PEcVD方法制备出效率为5％的微晶硅电池(^c=2lmA／cm2，yoc=0．46V，FF=51％，A
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少数载流子寿命 ( 简称少子寿命 ) 是半导体晶体硅材料的一项重要参数, 它对半导体器件的性能、 晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法.
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17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
本文讨论了A 型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度（4:）的变化。采用B 射线衍射仪（B0C），拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪（3690）对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加，微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率（!D）逐渐增大，光学带隙逐渐降低。当硅烷浓度为)’ *E 时，硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构。当硅烷浓度为,’
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半导体量子点太阳电池目前是一个十分热门的研究领域，在未来新能源利用领域具有潜在的应用价值。首先，介绍了几种量子点敏化电极的制备技术。然后，着重评述了ＣｄＳ，ＣｄＳｅ和ＰｄＳ量子点敏化太阳电池近年的研究进展。通过对大量最新的相关文献进行总结发现，电池的性能主要受量子点的组装技术、能带结构以及基体材料等因素的影响。最后，分析了该领域中目前存在的问题，并提出了今后研究的对策，包括采用两种量子点共敏化方法
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太阳能飞机以太阳辐射作为推进能源的飞机。太阳能飞机的动力装置由太阳能电池组、直流电动机、减速器、螺旋桨和控制装置组成。由于太阳辐射的能量密度小，为了获得足够的能量，飞机上应有较大的摄取阳光的表面积，以便铺设太阳电池，因此太阳能飞机的机翼面积较大。
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弹性性能对太阳电池板应力的影响。
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研究了利用LP-MOCVD 技术制备的不同B 掺杂浓度对 ZnO 薄膜的微观结构和光电特性影响. 对XRD和SEM的研究结果表明,B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响.
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自从上个世纪50年代首次发现GaAs材料具有光伏效应后，很快引起了科学界的注意。当时在理论上已经证明，带隙为Eg=1.4~1.6eV的材料，光电转换效率最高。而GaAs复材料的带隙Eg=1.43eV，恰好能够取得很高的转换效率。Jenny等首次制成 GaAs太阳电池 ,其效率为6.5%。60 年代 Gobat 等研制了第 1 个掺锌 GaAs 太阳电池 ,但转换效率仅为9 %～ 10 %, 远低于
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